AQX IRF7416TRPBF Nije en orizjinele yntegreare Circuit ic-chip IRF7416TRPBF

koarte beskriuwing:

Produkt Detail

Produkt Tags

Produkt Attributen

TYPE	BESKRIUWING
Kategory	Diskrete Semiconductor Products Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Mfr	Infineon Technologies
Searje	HEXFET®
Pakket	Tape & Reel (TR) Tape snije (CT) Digi-Reel®
Produkt Status	Aktyf
FET type	P-kanaal
Technology	MOSFET (metaal okside)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Trochrinnende Drain (Id) @ 25 ° C	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	20 mOhm @ 5.6A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	1V @ 250µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	92 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1700 pF @ 25 V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)
Operating Temperatuer	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	8-SO
Pakket / saak	8-SOIC (0.154 ″, 3.90 mm breedte)
Base Product Number	IRF7416

Dokuminten & Media

RESOURCE TYPE	LINK
Gegevensblêden	IRF7416PbF
Oare relatearre dokuminten	IR Part Numbering System
Produkt Training Modules	Hege spanning yntegreare circuits (HVIC Gate Drivers) Diskrete Power MOSFETs 40V en hjirûnder
Featured produkt	Data Processing Systems
HTML Datasheet	IRF7416PbF
EDA modellen	IRF7416TRPBF troch Ultra Librarian
Simulaasje modellen	IRF7416PBF Sabre Model

Miljeu & Eksportearje Klassifikaasjes

ATTRIBUT	BESKRIUWING
RoHS Status	ROHS3-kompatibel
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unbeheind)
REACH Status	REACH net beynfloede
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Oanfoljende boarnen

ATTRIBUT

BESKRIUWING

Oare nammen

IRF7416TRPBFDKR

SP001554262

IRF7416TRPBFCT

IRF7416TRPBF-ND

IRF7416TRPBFTR

Standert Package

4.000

IRF7416

Benefits
Planêre selstruktuer foar brede SOA
Optimalisearre foar breedste beskikberens fan distribúsjepartners
Produkt kwalifikaasje neffens JEDEC standert
Silisium optimalisearre foar applikaasjes dy't ûnder <100KHz wikselje
Yndustry standert oerflak-mount macht pakket
Yn steat om golfsoldere te wurden
-30V Single P-Channel HEXFET Power MOSFET yn in SO-8 pakket
Benefits
RoHS-kompatibel
Lege RDS (oan)
Yndustry-liedende kwaliteit
Dynamic dv / dt Rating
Fast Switching
Folslein Avalanche Rated
175 ° C Bedriuwstemperatuer
P-kanaal MOSFET

Transistor

In transistor is insemiconductor apparaatwend wêzefersterkjeofomskeakeljeelektryske sinjalen enkrêft.De transistor is ien fan 'e basisboustiennen fan moderneelektroanika.[1]It is gearstald útsemiconductor materiaal, meastal mei op syn minst trijeterminalsfoar ferbining mei in elektroanyske circuit.INfoltaazjeofaktueeltapast op ien pear fan de transistor syn terminals kontrolearret de hjoeddeiske troch in oar pear terminals.Om't de kontrolearre (útfier) krêft heger wêze kin as de kontrolearjende (ynfier) krêft, kin in transistor in sinjaal fersterkje.Guon transistors wurde yndividueel ferpakt, mar folle mear wurde fûn ynbêde ynyntegrearre circuits.

Eastenryksk-Hongaarsk natuerkundige Julius Edgar Lilienfeldfoarstelde it konsept fan afjild-effekt transistoryn 1926, mar it wie yn dy tiid net mooglik om eins in wurkapparaat te bouwen.[2]It earste wurkapparaat dat boud waard wie inpunt-kontakt transistorútfûn yn 1947 troch Amerikaanske natuerkundigenJohn BardeenenWalter Brattainwylst wurkjen ûnderWilliam ShockleybyBell Labs.De trije dielde de 1956Nobelpriis foar natuerkundefoar harren prestaasje.[3]De meast brûkte type transistor is demetaal-okside-halfgeleider fjildeffekt transistor(MOSFET), dat waard útfûn trochMohamed AtallaenDawon Kahngyn Bell Labs yn 1959.[4][5][6]Transistors revolúsjonearre it mêd fan elektroanika, en makke it paad foar lytser en goedkeaperradios,rekkenmasines, enkompjûters, ûnder oare.

De measte transistors binne makke fan hiel suversilisium, en guon fangermanium, mar guon oare semiconductor materialen wurde soms brûkt.In transistor kin mar ien soarte ladingdrager hawwe, yn in fjildeffekttransistor, of kin twa soarten ladingdragers hawwe ynbipolêre junction transistorapparaten.Yn ferliking mei defakuüm buis, transistors binne oer it generaal lytser en fereaskje minder macht om te operearjen.Bepaalde fakuümbuizen hawwe foardielen boppe transistors by heul hege wurkfrekwinsjes as hege wurkspanningen.In protte soarten transistors wurde makke neffens standerdisearre spesifikaasjes troch meardere fabrikanten.

Foarige: IPD068P03L3G nije orizjinele elektroanyske komponinten IC-chip MCU BOM-tsjinst op foarried IPD068P03L3G

Folgjende: IRF9540NSTRLPBF nije en orizjinele Integrated circuits Elektroanyske komponinten

Skriuw jo berjocht hjir en stjoer it nei ús