IPD068P03L3G nije orizjinele elektroanyske komponinten IC-chip MCU BOM-tsjinst op foarried IPD068P03L3G

koarte beskriuwing:

Produkt Detail

Produkt Tags

Produkt Attributen

TYPE	BESKRIUWING
Kategory	Diskrete Semiconductor Products Transistors - FETs, MOSFETs - Single
Mfr	Infineon Technologies
Searje	OptiMOS™
Pakket	Tape & Reel (TR) Tape snije (CT) Digi-Reel®
Produkt Status	Aktyf
FET type	P-kanaal
Technology	MOSFET (metaal okside)
Drain to Source Voltage (Vdss)	30 V
Strom - Trochrinnende Drain (Id) @ 25 ° C	70A (Tc)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	4.5V, 10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	6,8 mOhm @ 70A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	2V @ 150µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	91 nC @ 10 V
Vgs (Max)	± 20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	7720 pF @ 15 V
FET Feature	-
Power Dissipation (Max)	100W (Tc)
Operating Temperatuer	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount
Supplier Device Package	PG-TO252-3
Pakket / saak	TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63
Base Product Number	IPD068

Dokuminten & Media

RESOURCE TYPE	LINK
Gegevensblêden	IPD068P03L3 G
Oare relatearre dokuminten	Part Number Guide
Featured produkt	Data Processing Systems
HTML Datasheet	IPD068P03L3 G
EDA modellen	IPD068P03L3GATMA1 troch Ultra Librarian

Miljeu & Eksportearje Klassifikaasjes

ATTRIBUT	BESKRIUWING
RoHS Status	ROHS3-kompatibel
Moisture Sensitivity Level (MSL)	1 (Unbeheind)
REACH Status	REACH net beynfloede
ECCN	EAR99
HTSUS	8541.29.0095

Oanfoljende boarnen

ATTRIBUT

BESKRIUWING

Oare nammen

IPD068P03L3GATMA1DKR

IPD068P03L3GATMA1-ND

SP001127838

IPD068P03L3GATMA1CT

IPD068P03L3GATMA1TR

Standert Package

2.500

Transistor

In transistor is insemiconductor apparaatwend wêzefersterkjeofomskeakeljeelektryske sinjalen enkrêft.De transistor is ien fan 'e basisboustiennen fan moderneelektroanika.[1]It is gearstald útsemiconductor materiaal, meastal mei op syn minst trijeterminalsfoar ferbining mei in elektroanyske circuit.INfoltaazjeofaktueeltapast op ien pear fan de transistor syn terminals kontrolearret de hjoeddeiske troch in oar pear terminals.Om't de kontrolearre (útfier) krêft heger wêze kin as de kontrolearjende (ynfier) krêft, kin in transistor in sinjaal fersterkje.Guon transistors wurde yndividueel ferpakt, mar folle mear wurde fûn ynbêde ynyntegrearre circuits.

Eastenryksk-Hongaarsk natuerkundige Julius Edgar Lilienfeldfoarstelde it konsept fan afjild-effekt transistoryn 1926, mar it wie yn dy tiid net mooglik om eins in wurkapparaat te bouwen.[2]It earste wurkapparaat dat boud waard wie inpunt-kontakt transistorútfûn yn 1947 troch Amerikaanske natuerkundigenJohn BardeenenWalter Brattainwylst wurkjen ûnderWilliam ShockleybyBell Labs.De trije dielde de 1956Nobelpriis foar natuerkundefoar harren prestaasje.[3]De meast brûkte type transistor is demetaal-okside-halfgeleider fjildeffekt transistor(MOSFET), dat waard útfûn trochMohamed AtallaenDawon Kahngyn Bell Labs yn 1959.[4][5][6]Transistors revolúsjonearre it mêd fan elektroanika, en makke it paad foar lytser en goedkeaperradios,rekkenmasines, enkompjûters, ûnder oare.

De measte transistors binne makke fan hiel suversilisium, en guon fangermanium, mar guon oare semiconductor materialen wurde soms brûkt.In transistor kin mar ien soarte ladingdrager hawwe, yn in fjildeffekttransistor, of kin twa soarten ladingdragers hawwe ynbipolêre junction transistorapparaten.Yn ferliking mei defakuüm buis, transistors binne oer it generaal lytser en fereaskje minder macht om te operearjen.Bepaalde fakuümbuizen hawwe foardielen boppe transistors by heul hege wurkfrekwinsjes as hege wurkspanningen.In protte soarten transistors wurde makke neffens standerdisearre spesifikaasjes troch meardere fabrikanten.

Foarige: IPD042P03L3G BTS5215LAUMA1 IC Chip Nije elektroanyske komponint

Folgjende: AQX IRF7416TRPBF Nije en orizjinele yntegreare Circuit ic-chip IRF7416TRPBF

Skriuw jo berjocht hjir en stjoer it nei ús